Recientemente, en el Foro IC SEMICON Taiwán 2026, el gigante mundial de la litografía ASML proporcionó información detallada sobre los últimos datos básicos y el progreso tecnológico de sus máquinas de litografía de alta-NA EUV (ultravioleta extrema de alta apertura numérica) a medida que avanzan hacia la fabricación de alto-volumen (HVM).
En cuanto a la escala de producción y la entrega de equipos, ASML anunció que cuatro clientes en todo el mundo han completado las instalaciones, con un total de 10 sistemas High-NA EUV ahora en pleno funcionamiento. Otros tres sistemas se encuentran actualmente en la fase de envío e instalación. Hasta la fecha, estas máquinas han expuesto en total más de 1,35 millones de obleas, lo que marca la transición de la tecnología desde la validación experimental hasta la aplicación industrial-a escala completa. En particular, Intel ha tomado la iniciativa al utilizar esta tecnología para producir-en masa ciertos procesadores Core Ultra Series 3 (con nombre en código Panther Lake) en su nodo de proceso Intel 18A, convirtiéndose en la primera empresa a nivel mundial en lograr envíos de alto-volumen de chips lógicos utilizando High-NA EUV.
En términos de rendimiento y estabilidad del equipo, el modelo de producción en masa-generación-, el EXE:5200B, logró un rendimiento de 135 obleas por hora (WPH) durante las pruebas de aceptación, cumpliendo con los estándares HVM. Mientras tanto, la tasa de disponibilidad de la flota global ha aumentado al 84%. ASML proyecta que esta tasa alcanzará el 90 % para fines de 2026, con un objetivo-a largo plazo del 93 %. Al aprovechar la experiencia en mantenimiento de su plataforma NXE existente, ASML se ha asegurado de que el rendimiento de superposición y enfoque de las máquinas cumpla con los estrictos requisitos de producción-en masa.
En cuanto a las ventajas tecnológicas y las hojas de ruta futuras, en comparación con los sistemas 0,33 NA EUV anteriores, el 0,55 NA High-NA EUV ofrece una resolución superior. Permite que un único-patrón reemplace complejos múltiples-patrones, reduciendo directamente las tasas de defectos, los tiempos del ciclo de producción y los costos generales de los nodos avanzados. Además, esta tecnología abre nuevos espacios de diseño para diseños de chips 2D, reduciendo potencialmente el número total de capas de interconexión metálica. De cara al futuro, ASML ha establecido una hoja de ruta tecnológica estable que abarca más de una década. Al aumentar la potencia de la fuente de luz EUV (de 600 W a 1000 W) y optimizar otros procesos mecánicos, la empresa pretende aumentar el rendimiento del equipo a 180 WPH para finales de esta década, continuando brindando soporte central para la fabricación de semiconductores desde el nodo de 2 nm hasta la era Angstrom.
