Recientemente, el Laboratorio Jiufengshan logró un avance tecnológico significativo en el campo de los materiales de fosfuro de indio (INP), desarrollando con éxito un proceso de crecimiento epitaxial para 6 - pulgadas INP -} Detectores de estructura de PIN basados en PIN y láser de estructura FP. Los indicadores de rendimiento clave han alcanzado niveles de liderazgo internacional. Este logro marca el primer logro doméstico en el campo de la producción de materiales INP a gran escala, logrando una aplicación coordinada de equipos centrales a materiales clave, proporcionando un apoyo importante para el desarrollo industrial de dispositivos optoelectrónicos.
Como material central en comunicaciones ópticas, computación cuántica y otros campos, la aplicación industrial de INP ha enfrentado largos cuellos de botella técnicos en una gran producción de escala -. El proceso convencional de la industria permanece en la etapa de 3 pulgadas, y el alto costo hace que no pueda cumplir con el crecimiento explosivo de aplicaciones industriales posteriores.
Aprovechando los equipos de MOCVD domésticos y la tecnología de sustrato INP, el laboratorio Jiufengshan ha superado los desafíos de controlar grandes -} Escala de uniformidad epitaxial y desarrollado el primer proceso de crecimiento epitaxial para 6 -} pulgada de fosfuro de indio (INP) {{4} basados en detectores de estructura PIN de estructura FP. Los indicadores de rendimiento clave han alcanzado niveles de liderazgo internacionalmente, estableciendo las bases para la producción a gran escala de chips óptico de fosfuro de indio de 6 pulgadas (INP).
Propiedades del material:
• La longitud de onda de emisión PL de pozo cuántico de láser FP dentro del chip tiene una desviación estándar de chip in - de<1.5nm, and composition and thickness uniformity is <1.5%.
• La concentración de fondo del material del detector de pines es<4×10¹⁴cm⁻³, and mobility is >11,000 cm²/v · s.
Equipo de proceso epitaxial del laboratorio de Jiufengshan
Contra el rápido desarrollo de la industria global de la optoelectrónica, la demanda de fosfuro de indio (INP) en comunicaciones ópticas, LiDAR, comunicaciones de Terahercios y otros campos está experimentando un crecimiento explosivo. Según Yole DevelovelPement, se espera que el mercado de Optoelectronics INP alcance los US $ 5,6 mil millones en 2027, con una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 14%. Se espera que el avance en el proceso de fosfuro de indio de 6 pulgadas (INP) reduzca el costo de los chips ópticos nacionales al 60% -70% del proceso de 3 pulgadas, lo que ayuda a mejorar la competitividad del mercado de los chips ópticos nacionales.
